[文字]是在工作面上添加蝕刻劑。該蝕刻劑將引起與工件的腐蝕化學反應，并通過該化學反應除去工件表面的表面材料。如果蝕刻劑是液體，則稱為濕法蝕刻，如果蝕刻劑是氣體，則稱為干法蝕刻。常規蝕刻主要是利用液體蝕刻劑的濕蝕刻，但是近年來，使用氣體等離子體等的干蝕刻技術已被廣泛采用。特別地，干蝕刻是在硅晶片上處理具有亞微米精度和微米（μ，m）尺寸的大規模集成電路的主要方法。濕蝕刻是宏觀反應，其中工作物質溶解在蝕刻劑中而不改變其化學性質。但在微觀層面上，它是一個包含一個或多個化學反應的過程，例如氧化，還原，絡合物形成和氣體反應。通常，濕法蝕刻基于氧化和還原反應。當用強酸，強堿等蝕刻工件時，工件表面的晶體結構會產生規則的電位差，并形成許多陰極和陽極區域，可以在沒有外部電場的情況下產生均勻的電解反應和蝕刻。 。反應期間的溫度和時間控制非常重要。在干蝕刻中，等離子體蝕刻主要用于通過化學反應進行蝕刻。等離子蝕刻是在低壓下引入氣體，導致輝光放電產生低溫和低壓離子等離子體，該等離子體利用受激的逆反應形成揮發性物質，并排出以進行蝕刻。